概述 

近年來，碳納米管晶體管（CNT）由于其體積小，出色的電子和 機械性能以及廣泛的潛在實際應用，已成為許多科學的主題。特別是， 研究人員正在研究基于 CNT 的設備，例如 CNT FET，有可能用于傳感 器、晶體管、存儲設備等。表征精密納米電子設備的電性能需要儀器 和測量技術針對低功率水平和高測量靈敏度進行優(yōu)化。

測量配置 

CNT FET 是三端設備，需要兩個或三個 SMU 儀器來進行 I-V 表征。 圖 1 顯示了用于生成 ID-VG 曲線的典型測試配置。 在此配置中，4200- SCS 型參數(shù)分析儀中的兩臺 SMU 連接到 CNT FET 的柵極和漏極端。 源端子連接到第三臺 SMU 儀器或接地。 對于漏極電流 vs. 柵極電壓測 試，SMU1 掃描柵極電壓（VG），SMU2 輸出一個恒定的 DC 漏極電壓 （VD），并測量產(chǎn)生的漏極電流（ID）。 這種配置允許獲得 DC I-V 漏 極曲線系列。通過更改 SMU1 的功能來逐步調(diào)節(jié)柵極電壓和 SMU2 可 以輕松實現(xiàn)掃描漏極電壓并測量漏極電流。

圖 2 是 CNT FET 的 ID-VG 圖。在這條曲線中，電壓設置為恒定 2V。 帶有前置放大器的SMU 允許測量從100mA 向下至 100aA分辨率的大范圍的電流。 

為了防止在執(zhí)行 I-V 特性測試時損壞設備，限制流過的電流量很重要。這可以通過在 SMU上調(diào)整源限制（合規(guī)性）來完成。 在 CNT FET 上測量低電流時，有很多噪聲源，包括粒子碰撞、缺陷、 交流電拾取和靜電干擾。 始終使用屏蔽技術和適當?shù)木€路周期積分時間可將噪聲降至最低。 

當連接和斷開儀表和設備端子時，確保探頭處于向上位置（不要與探頭接觸）。移動電纜的過程可能會注入電荷到設備中并造成損壞。